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PSMN015-110P中文资料N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET数据手册Nexperia规格书
PSMN015-110P规格书详情
描述 Description
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
• Low conduction losses due to low on-state resistance
• Simple gate drive required due to low gate charge
应用 Application
• DC-to-DC convertors
• Switched-mode power supplies
技术参数
- 制造商编号
：PSMN015-110P
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TO-220AB
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：110
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：15
- T_j [max] (°C)
：175
- I_D [max] (A)
：75
- Q_GD [typ] (nC)
：35
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：90
- P_tot [max] (W)
：300
- Q_r [typ] (nC)
：115
- V_GSth [typ] (V)
：3
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：4900
- C_oss [typ] (pF)
：390
- Date
：2010-09-02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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