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PSMN028-100YS	文件：817.14 Kbytes Page：15 Pages	N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level MOSFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinLFPAKpackagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits AdvancedTrenchMOSprovideslow RDSonandlowgatecha	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN028-100HS	文件：276.82 Kbytes Page：12 Pages	N-channel100V,27.5mOhm,standardlevelMOSFETinLFPAK56DusingTrenchMOStechnology Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •HighpeakdraincurrentIDM •CopperclipandflexibleLeads •HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C •Superiorreliability •Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PSMN028-100YS

文件：817.14 Kbytes

Page：15 Pages

N-channel LFPAK 100V 27.5 mΩ standard level MOSFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinLFPAKpackagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits AdvancedTrenchMOSprovideslow RDSonandlowgatecha

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PSMN028-100HS

文件：276.82 Kbytes

Page：12 Pages

N-channel100V,27.5mOhm,standardlevelMOSFETinLFPAK56DusingTrenchMOStechnology

Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •HighpeakdraincurrentIDM •CopperclipandflexibleLeads •HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C •Superiorreliability •Low

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
PSMN028-100YS
功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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