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PSMN028-100HS中文资料安世数据手册PDF规格书

PSMN028-100HS
厂商型号

PSMN028-100HS

功能描述

N-channel 100 V, 27.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology

丝印标识

28RS10H

封装外壳

LFPAK56D

文件大小

276.82 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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PSMN028-100HS规格书详情

General description

Dual standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using

TrenchMOS technology.

Features and benefits

• High peak drain current IDM

• Copper clip and flexible Leads

• High operating junction temperature Tj = 175 °C

• Superior reliability

• Low body diode reverse recovery charge Qr

Applications

• Synchronous rectifier

• Forward and flyback converter

• Industrial drive

• Power management system

• Uninterruptible Power Supply (UPS)

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