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PSMN009	文件：124.41 Kbytes Page：8 Pages	N-channel TrenchMOS횚 transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN009-100B	文件：271.41 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■HighfrequencycomputermotherboardDCtoDCconverters ■OR-ingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN009-100B	文件：690.68 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN009-100P	文件：271.41 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■HighfrequencycomputermotherboardDCtoDCconverters ■OR-ingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN009-100P	文件：776.73 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN009-100W	文件：28.85 Kbytes Page：4 Pages	TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES •’Trench’technology •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN009-100W	文件：121.61 Kbytes Page：4 Pages	N-channel TrenchMOS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PSMN009
功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多PSMN009供应商更新时间2025-5-28 15:30:00

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