PSMN009中文资料N-channel TrenchMOSÔ transistor数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
PSMN009
- 功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT78 |
7350 |
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PHI |
24+ |
NA/ |
17138 |
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恩XP |
2016+ |
TO-220 |
1000 |
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恩XP |
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TO220 |
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恩XP |
1516+ |
TO220 |
1000 |
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恩XP |
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SOT78TO-220AB |
36900 |
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PHI |
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TO-3P |
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原厂直接发货进口原装 |
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PHI |
23+ |
TO-220 |
1500 |
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询价 | ||
恩XP |
1847+ |
TO-220 |
50 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
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52500 |
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询价 |
