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PSMN009-100W	文件：28.85 Kbytes Page：4 Pages	TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. FEATURES • ’Trench’ technology • 文件：28.85 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN009-100B	文件：189.19 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 文件：189.19 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PSMN009-100W	文件：121.61 Kbytes Page：4 Pages	N-channel TrenchMOS transistor 文件：121.61 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN009-100B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. • Low conduction losses due to low on-state resistance\n• Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN009-100P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. • Low conduction losses due to low on-state resistance\n• Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
100
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
8.8
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
75
QGD [typ] (nC)：
44
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
156
Ptot [max] (W)：
230
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
8250
Coss [typ] (pF)：
620
Release date：
2010-10-27

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PSMN009供应商更新时间2025-10-11 16:56:00

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