首页>PMPB10R3XN>规格书详情
PMPB10R3XN中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB10R3XN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portables
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB10R3XN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：12.2
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：17
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：13
- QGD [typ] (nC)
：1.4
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：6.6
- Ptot [max] (W)
：3
- Qr [typ] (nC)
：4
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：770
- Coss [typ] (pF)
：119.99999
- Release date
：2022-11-18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
NEXPERIA |
19+ |
DFN-2020-6 |
27000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
N/A |
20000 |
原厂直供原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
585 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2020-6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT1220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 |
