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PMPB09R1XN中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB09R1XN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portables
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB09R1XN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020M-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：11.2
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：14.3
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：13
- QGD [typ] (nC)
：1.9
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：8.099999
- Ptot [max] (W)
：3
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：939.99994
- Coss [typ] (pF)
：156
- Release date
：2022-10-24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
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询价 | |||
鑫远鹏 |
25+ |
NA |
5000 |
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询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2020M-6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
DFN2020M6 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
6-UDFN |
6000 |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
6-UDFN |
6000 |
全新原装 现货 价优 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
NEXPERIA |
17+ |
71900 |
询价 | ||||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
