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PMDXB950UPE中文资料20 V, dual P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMDXB950UPE规格书详情
描述 Description
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM
• Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• High-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMDXB950UPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010B-6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：1400
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：2200
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-0.5
- QGD [typ] (nC)
：0.1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.1899999
- Ptot [max] (W)
：0.265
- VGSth [typ] (V)
：-0.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：43
- Coss [typ] (pF)
：14
- Release date
：2013-09-12
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