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PMDXB600UNEL中文资料20 V, dual N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMDXB600UNEL规格书详情
描述 Description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low leakage current
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM
• Drain-source on-state resistance RDSon =470mΩ
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMDXB600UNEL
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010B-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：620
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：850
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：0.6
- QGD [typ] (nC)
：0.1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.4
- Ptot [max] (W)
：0.265
- VGSth [typ] (V)
：0.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：21.3
- Coss [typ] (pF)
：5.4
- Release date
：2016-06-28
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
DFN1010B6 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
SOT23-5 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
SOT1216 |
30274 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
SOT1216 |
16500 |
只做原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1216 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
6-DFN |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Infineon |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT1216 |
6000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 |
