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PMDXB950UPE	文件：732.4 Kbytes Page：15 Pages	丝印：10；Package：SOT1216；20 V, dual P-channel Trench MOSFET 1. General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Leadless ultra small and ultr 文件：732.4 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDXB950UPE	文件：262.47 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：262.47 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PMDXB950UPE_15	文件：254.33 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：254.33 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMDXB950UPEL	文件：739.16 Kbytes Page：16 Pages	丝印：B111；Package：DFN1010B-6；20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：739.16 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDXB950UPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω;	Nexperia 安世	Nexperia
PMDXB950UPEL	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low leakage current\n• Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon =1.02Ω;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2200
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.5
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.1899999
Ptot [max] (W)：
0.265
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
43
Coss [typ] (pF)：
14
Release date：
2013-09-12

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