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PMDXB950UPE中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PMDXB950UPE

功能描述

20 V, dual P-channel Trench MOSFET

丝印标识

10

封装外壳

SOT1216

文件大小

732.4 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 23:01:00

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PMDXB950UPE规格书详情

1. General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Trench MOSFET technology

• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm

• Exposed drain pad for excellent thermal conduction

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

• Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side load switch

• Switching circuits

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