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PMDXB950UPEL	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low leakage current\n• Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon =1.02Ω;	Nexperia 安世	Nexperia
PMDXB950UPEL	文件：739.16 Kbytes Page：16 Pages	丝印：B111；Package：DFN1010B-6；20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：739.16 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMH950UPE	文件：275.94 Kbytes Page：14 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET te 文件：275.94 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMH950UPE	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZ950UPE	文件：723.89 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：723.89 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2200
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.5
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.1899999
Ptot [max] (W)：
0.265
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
43
Coss [typ] (pF)：
14
Release date：
2016-06-28

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