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PMDXB550UNE中文资料30 V, dual N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMDXB550UNE规格书详情
描述 Description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMDXB550UNE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010B-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：670
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：900
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：0.59
- QGD [typ] (nC)
：0.1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.6
- Ptot [max] (W)
：0.285
- VGSth [typ] (V)
：0.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：30.3
- Coss [typ] (pF)
：5.7999997
- Release date
：2015-03-25
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2447 |
DFN1010B-6 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
DFN1010B-6 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
DFN1010B-6 |
7000 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Nexperia |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
DFN1010B-6 |
16500 |
只做原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1216 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Nexperia |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
DFN1010B-6 |
15620 |
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