20 V, dual N-channel Trench MOSFET

文件：257.2 Kbytes 页数：15 Pages

PHI

飞利浦

丝印：C001；Package：DFN1010B-6；20 V, dual N-channel Trench MOSFET

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安世安世半导体(中国)有限公司

20 V, dual P-channel Trench MOSFET

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恩XP

20 V, dual P-channel Trench MOSFET

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PHI

飞利浦

丝印：B111；Package：DFN1010B-6；20 V, dual P-channel Trench MOSFET

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包装：袋 类别：电缆，电线 - 管理 配件 描述：DISPENSER WIRE MARKER

PANDUIT

丝印：PMD3180Q1；Package：VQFN；PCMD3180-Q1 Octal-Channel, PDM Input to TDM or I2S Output Converter

1 Features • 8-channel PDM microphones simultaneous conversion • PDM input to TDM or I2S output converter performance: – 127dB dynamic range (DR) with high performance 5th order PDM input – 117dB dynamic range (DR) with high performance 4th order PDM input • Channel summing mode, DR perfo

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TI

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博盛半导体

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