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PMD04N65M	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
QM04N65B	文件：1.10072 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.10072 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QM04N65D	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.0762 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QM04N65D	文件：1.1635 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1635 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

组态：
Single
MOS类型：
N
VDS(V)：
650
VGS(V)：
±30
Vth(V)：
2.5/3.5/4.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
2200/2600
Ciss(pF)：
518
Coss(pF)：
41.6
Crss(pF)：
4.5
Qg(nC)_10V：
15.4
Qgs(nC)：
2
Qgd(nC)：
7.3
Rg W：
2.6
EAS (mJ)：
240
ID(A)_Tc=25℃：
4
ID(A)_Tc=100℃：
2.5
PD(W)_Tc=25℃：
42
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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更多PMD04N65M供应商更新时间2025-10-10 14:00:00

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