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PZT5551	文件：433.17 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighVoltageAmplifierApplication •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Marking:Z	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SAA5551PS	文件：340.54 Kbytes Page：80 Pages	StandardTVMicrocontrollerswithOn-ScreenDisplay(OSD) GENERALDESCRIPTION TheSAA55xxstandardfamilyofmicrocontrollersareaderivativeofthePhilipsindustry-standard80C51microcontroller,andareintendedforuseasthecentralcontrolmechanisminatelevisionreceiver.Theyprovidecontrolfunctionsforthetelevisionsystem,OSD,andsom	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SBT5551	文件：261.06 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V, VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5551	文件：193.45 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
SBT5551	文件：191.98 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401	AUK AUK corp	AUK
SBT5551F	文件：265.08 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5551F	文件：191.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401F	AUK AUK corp	AUK
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产品属性

产品编号：
PMBT5551,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMBT5551,235供应商更新时间2025-7-23 15:01:00

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