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PMBT5551,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
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PMST5551	文件：57.14 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PMST5401. FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS •Switchingandamplificationinhighvoltageapplicationssuchastelephony.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMST5551	文件：131.42 Kbytes Page：7 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS •Switchingandamplificationinhighvoltageapplications suchastelephony. DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PMST5401.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMST5551	文件：185.38 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor 1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PMST5401 2.Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •AEC-Q101qualified 3.Applications •Switchingan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMST5551-Q	文件：184.5 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor 1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplicati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PZT5551	文件：222.87 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES HighCollector-EmitterVoltage: VCEO=160V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PZT5551	文件：443.53 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
PZT5551	文件：352 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT5551	文件：199.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

产品属性

产品编号：
PMBT5551,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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