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SPD5551TXV	文件：99.43 Kbytes Page：2 Pages	5AMPS,200thru1000VOLTS2關secSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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SS5551US	文件：42.01 Kbytes Page：3 Pages	HIGHCURRENTAXIALLEADRECTIFIERS	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
STC5551F	文件：322.76 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC5551F	文件：322.76 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage :VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SXT5551	文件：356.54 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageTransistors	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SZ5551	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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产品属性

产品编号：
PMBT5551,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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