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PHP52N06T	文件：104.14 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: PHP52N06T in SOT78 (TO-220AB). Features ■ Low on-state resistance ■ 175 °C rated. Applications ■ DC to DC converters ■ Uninterruptible power sup 文件：104.14 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
PHP52N06T	文件：212.88 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ Low conduc 文件：212.88 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PHP.0F.302.XLK	文件：71.98 Kbytes Page：3 Pages	F - Rugged Push-Pull 文件：71.98 Kbytes 页数：3 Pages	LEMO 雷莫	LEMO
PHP.0F.303.XLM	文件：115.13 Kbytes Page：4 Pages	F - Rugged Push-Pull 文件：115.13 Kbytes 页数：4 Pages	LEMO 雷莫	LEMO
PHP.0F.305.NLM	文件：95.13 Kbytes Page：4 Pages	F - Rugged Push-Pull 文件：95.13 Kbytes 页数：4 Pages	LEMO 雷莫	LEMO
PHP.0F.902.XLK	文件：69.64 Kbytes Page：3 Pages	F - Rugged Push-Pull 文件：69.64 Kbytes 页数：3 Pages	LEMO 雷莫	LEMO
PHP.0M.302.XLM	文件：77.23 Kbytes Page：4 Pages	M - Rugged Ratchet coupling 文件：77.23 Kbytes 页数：4 Pages	LEMO 雷莫	LEMO
PHP.0M.302.XLMT	文件：77.58 Kbytes Page：4 Pages	M - Rugged Ratchet coupling 文件：77.58 Kbytes 页数：4 Pages	LEMO 雷莫	LEMO
PHP.0M.303.XLM	文件：77.81 Kbytes Page：4 Pages	M - Rugged Ratchet coupling 文件：77.81 Kbytes 页数：4 Pages	LEMO 雷莫	LEMO
PHP.0M.304.XLM	文件：77.95 Kbytes Page：4 Pages	M - Rugged Ratchet coupling 文件：77.95 Kbytes 页数：4 Pages	LEMO 雷莫	LEMO

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技术参数

技术/工艺：
薄膜
阻值：
10Ω
精度：
±0.1%
功率：
1W
温度系数：
±25ppm/℃
工作温度：
cL
安装类型：
SMT
长x宽/尺寸：
3.20 x 1.60mm
封装/外壳：
bE
引脚数：
2Pin
是否无铅：
Yes
系列：
PHP
等级：
消费级
原始制造商：
Vishay Intertechnology
原产国家：
America
认证信息：
RoHS
存储温度：
cL
元件生命周期：
Active
高度：
0.83mm
额定电压：
200V

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