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PHE13009中文资料Silicon Diffused Power Transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PHE13009

参数属性

PHE13009 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 12A TO220AB

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

封装外壳

TO-220-3

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-28 11:28:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PHE13009/DG,127

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 1.6A,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 5A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 12A TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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