PHE13005X数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PHE13005X |
| 参数属性 | PHE13005X 封装/外壳为TO-220-3 全封装，隔离接片；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 4A TO-220F |
| 功能描述 | High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications |
| 封装外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 制造商 | WeEn WeEn Semiconductors |
| 中文名称 | 瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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PHE13005X规格书详情
描述 Description
High-voltage, high-speed planar-passivated, NPN power switching transistor in a full pack plastic package for use in high frequency electronic lighting ballast applications
特性 Features
• Fast switching
• High voltage capability of 700 V
• Isolated package
• Low thermal resistance
应用 Application
• Electronic lighting ballasts
简介
PHE13005X属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的PHE13005X晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：PHE13005X
- 生产厂家
：WeEn
- Package name
：TO-220F
- Size
：15.5 x 10.0 x 4.3
- Product status
：Production
- IC [max]
：4
- VCESM [max]
：700
- VCEO [max]
：400
- Ptot [max]
：26
- hFE [typ]
：20
- @ IC
：1
- tf [max]
：500
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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