PHE13003A中文资料High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications数据手册WeEn规格书

厂商型号 |
PHE13003A |
参数属性 | PHE13003A 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A TO92-3 |
功能描述 | High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
制造商 | WeEn WeEn Semiconductors |
中文名称 | 瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 13:48:00 |
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PHE13003A规格书详情
描述 Description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54 (TO-92) plastic package.
特性 Features
• Fast switching
• High voltage capability
• Very low switching and conduction losses
应用 Application
• Compact fluorescent lamps (CFL)
• Electronic lighting ballasts
• Inverters
• Off-line self-oscillating power supplies
简介
PHE13003A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PHE13003A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:PHE13003A
- 生产厂家
:WeEn
- Package name
:TO-92
- Size
:4.6 x 3.9 x 5.1
- Product status
:Production
- IC [max]
:1
- VCESM [max]
:700
- VCEO [max]
:400
- Ptot [max]
:2.1
- hFE [typ]
:7.5
- @ IC
:0.8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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