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PHE13005中文资料High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications数据手册WeEn规格书

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厂商型号

PHE13005

参数属性

PHE13005 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 4A TO220F

功能描述

High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications
TRANS NPN 400V 4A TO220F

封装外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 13:51:00

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PHE13005规格书详情

描述 Description

High voltage, high speed NPN planar-passivated power switching transistor in a SOT78 plastic package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications

特性 Features

• Fast switching
• High voltage capability of 700 V
• Low thermal resistance

应用 Application

• Electronic lighting ballasts

简介

PHE13005属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PHE13005晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PHE13005

  • 生产厂家

    :WeEn

  • Package name

    :TO-220AB

  • Size

    :15.6 x 10.0 x 4.4

  • Product status

    :Production

  • IC [max]

    :4

  • VCESM [max]

    :700

  • VCEO [max]

    :400

  • Ptot [max]

    :75

  • hFE [typ]

    :20

  • @ IC

    :1

  • tf [max]

    :500

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