PHE13003C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54 (TO-92) plastic package.

特性 Features

• Fast switching
• High typical DC current gain
• High voltage capability of 700 V
• Very low switching and conduction losses

应用 Application

• Compact fluorescent lamps (CFL)
• Low power electronic lighting ballasts
• Off-line self-oscillating power supplies (SOPS) for battery charging

简介

PHE13003C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的PHE13003C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。