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PHE13003C	文件：270.97 Kbytes Page：11 Pages	NPN power transistor Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT54(TO-92)plasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •HightypicalDCcurrentgain •Highvoltagecapabilityof700V •Verylowswitchingandconductionlosses Applications	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
PHE13003C_15	文件：179.62 Kbytes Page：10 Pages	NPN power transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHE13003C,126	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
PHE13003C,412	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
PZT13003	文件：426.81 Kbytes Page：2 Pages	1.5A,700VNPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S13003	文件：118.59 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
S13003A	文件：118.07 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
S13003AD	文件：126.94 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 andSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
S13003A-D	文件：121.1 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
S13003AD-H	文件：122.43 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO

详细参数

型号：
PHE13003C
功能描述：
两极晶体管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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