PHE13007中文资料Silicon Diffused Power Transistor数据手册恩XP规格书
PHE13007规格书详情
描述 Description
GENERAL DESCRIPTION
The PHE13007 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.
技术参数
- 产品编号：
PHE13007,127
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 1A，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
200µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 2A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
TRANS NPN 400V 8A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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