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PHE13007	文件：71.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERALDESCRIPTION ThePHE13007isasiliconnpnpowerswitchingtransistorintheTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHE13007	文件：342.81 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERALDESCRIPTION ThePHE13007isasiliconnpnpowerswitchingtransistorintheTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
PHE13007_15	文件：127.71 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Diffused Power Transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHE13007,127	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 8A TO220AB	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
PJ13007	文件：154.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PJ13007CZ	文件：154.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SAEP13007	文件：137.13 Kbytes Page：5 Pages	ADSLLINETRANSFORMER	PRODUCTWELL Productwell Precision Elect.CO.,LTD	PRODUCTWELL
SBF13007	文件：753.48 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR [SemiWell] GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical60ns@5.0A) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat)(Typical390m	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SBF13007-O	文件：340.71 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ◆VeryHighSwitchingSpeed ◆HighVoltageCapability ◆WideReverseBiasSOA ◆IsolationVoltage(VISO=4000VAC)	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBP13007	文件：723.06 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdevicesisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical60ns@5.0A) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat)(Typical390mV@5.0A/1.0A	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell

详细参数

型号：
PHE13007
功能描述：
两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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