PHE13007分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
PHE13007 |
| 参数属性 | PHE13007 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 8A TO220AB |
| 功能描述 | Silicon Diffused Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
71.69 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-27 9:38:00 |
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PHE13007规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The PHE13007 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.
产品属性
- 产品编号:
PHE13007,127
- 制造商:
WeEn Semiconductors
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
350mV @ 1A,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
200µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 2A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
TRANS NPN 400V 8A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
7155 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
PHI |
TO220 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
TO-220 |
125800 |
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恩XP |
24+ |
TO220 |
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恩XP |
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TO-220 |
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PHI |
23+24 |
TO-220 |
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恩XP |
23+ |
TO-220 |
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恩XP |
23+ |
TO-220AB |
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