PHE13003分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PHE13003 |
| 参数属性 | PHE13003 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 1A TO92-3 |
| 功能描述 | Silicon Diffused Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
49.87 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-24 13:12:00 |
| 人工找货 | PHE13003价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PHE13003规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the SOT533 envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters and inverters, etc.
产品属性
- 产品编号：
PHE13003A,412
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 250mA，750mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 400mA，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS NPN 400V 1A TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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