| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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11年
留言
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恩XPTO-92 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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4年
留言
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恩XPTO-92 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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恩XP标准封装 |
17048 |
24+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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13年
留言
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恩XPTO92 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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6年
留言
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WEENTO-92-3 |
6675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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11年
留言
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恩XP |
9865 |
23+ |
原装正品,假一赔十 |
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1年
留言
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恩XPN/A |
6000 |
24+ |
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈! |
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9年
留言
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恩XPSOT54 |
188600 |
25+ |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
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7年
留言
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恩XPTO-92 |
1000 |
1121 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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16年
留言
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恩XP原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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6年
留言
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WEENTO-92-3 |
6675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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3年
留言
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恩XPTO-92 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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1年
留言
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恩XPTO-92 |
3982 |
1432+ |
全新原装现货,有单必成交 |
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13年
留言
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恩XPTO-92 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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3年
留言
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WEEN/瑞能TO-92 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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恩XPTO-92 |
1200 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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3年
留言
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恩XPN/A |
6000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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5年
留言
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恩XP1039 |
5070 |
24+ |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
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15年
留言
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NexperiaN/A |
20000 |
25+ |
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恩XPTO-92 |
125800 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
PHE13003采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PHE13003图片
PHE13003C,126价格
PHE13003C,126价格:¥0.4245品牌:恩XP
生产厂家品牌为恩XP的PHE13003C,126多少钱,想知道PHE13003C,126价格是多少?参考价:¥0.4245。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PHE13003C,126批发价格及采购报价,PHE13003C,126销售排行榜及行情走势,PHE13003C,126报价。
PHE13003C126中文资料Alldatasheet PDF
更多PHE13003A,126功能描述:两极晶体管 - BJT Single NPN 1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003A,412功能描述:两极晶体管 - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003C,126功能描述:两极晶体管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003C,412功能描述:两极晶体管 - BJT Silicon diffused power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2































