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PHE13007中文资料PDF规格书

PHE13007
厂商型号

PHE13007

参数属性

PHE13007 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 400V 8A TO220AB

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

文件大小

342.81 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 WeEn Semiconductors
企业简称

WEEN瑞能半导体

中文名称

瑞能半导体科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 17:42:00

PHE13007规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

The PHE13007 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.

产品属性

  • 产品编号:

    PHE13007,127

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 1A,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 2A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 8A TO220AB

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