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PHE13009数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PHE13009

参数属性

PHE13009 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 12A TO220AB

功能描述

High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications
TRANS NPN 400V 12A TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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PHE13009规格书详情

描述 Description

High voltage, high speed NPN planar passivated power switching transistor in a SOT78 (TO-220AB) plastic package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.

特性 Features

• Fast switching
• High voltage capability
• Low thermal resistance
• Very low switching and conduction losses

应用 Application

• DC-to-DC converters
• High frequency electronic lighting ballasts
• Inverters
• Motor control systems
• Switching regulators

简介

PHE13009属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PHE13009晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PHE13009

  • 生产厂家

    :WeEn

  • Package name

    :TO-220AB

  • Size

    :15.6 x 10.0 x 4.4

  • Product status

    :Production

  • IC [max]

    :12

  • VCESM [max]

    :700

  • Ptot [max]

    :80

  • tf [max]

    :500

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