PBSS9110Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS9110Z |
| 参数属性 | PBSS9110Z 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 1A SOT223 |
| 功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-73 / TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
320.26 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 12:00:00 |
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PBSS9110Z规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 产品编号：
PBSS9110Z,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
320mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS PNP 100V 1A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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