PBSS9110T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS9110T |
参数属性 | PBSS9110T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A TO236AB |
功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
187.44 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | 未知制造商 |
企业简称 |
恩XP |
中文名称 | 未知制造商 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 15:46:00 |
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PBSS9110T规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PBSS8110T.
FEATURES
• SOT23 package
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
APPLICATIONS
• Major application segments
– Automotive 42 V power
– Telecom infrastructure
– Industrial
• DC-to-DC conversion
• Peripheral drivers
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs).
– Inductive load driver (e.g. relays,
buzzers and motors).
产品属性
- 产品编号:
PBSS9110T,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
320mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 100V 1A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23-3 |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
215 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
9000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
150 |
原装现货假一赔十 |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
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恩XP |
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SC59 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
10990 |
原装正品 |
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恩XP |
24+ |
SC59 |
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恩XP |
19+ |
SOT-23 |
200000 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
503419 |
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