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PBSS9110T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS9110T
厂商型号

PBSS9110T

参数属性

PBSS9110T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A TO236AB

功能描述

100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

187.44 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-9 8:08:00

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PBSS9110T规格书详情

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complement: PBSS8110T.

FEATURES

• SOT23 package

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability: IC and ICM

• Higher efficiency leading to less heat generation

APPLICATIONS

• Major application segments

– Automotive 42 V power

– Telecom infrastructure

– Industrial

• DC-to-DC conversion

• Peripheral drivers

– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps

and LEDs).

– Inductive load driver (e.g. relays,

buzzers and motors).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS9110T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    320mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 1A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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