PBSS9110T中文资料100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS9110T |
| 参数属性 | PBSS9110T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-17 23:01:00 |
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PBSS9110T规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PBSS8110T.
特性 Features
• SOT23 package
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Major application segments
• Automotive 42 V power
• Telecom infrastructure
• Industrial
• DC-to-DC conversion
• Peripheral drivers
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).
技术参数
- 制造商编号
：PBSS9110T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot (mW)
：300
- VCEO [max] (V)
：-100
- IC [max] (mA)
：-1000
- hFE [min]
：150
- hFE [max]
：450
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：100
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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