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PBSS5612PA中文资料PBSS5612PA - 12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS5612PA |
| 参数属性 | PBSS5612PA 封装/外壳为3-PowerUDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 12V 6A 3HUSON |
| 功能描述 | PBSS5612PA - 12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-PowerUDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PBSS5612PA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5612PA规格书详情
描述 Description
12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement: PBSS4612PA.
特性 Features
·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
·High collector current capability IC and ICM
·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
·Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
·Leadless small SMD plastic package with medium power capability
应用 Application
·Loadswitch
·Battery-driven devices
·Power management
·Charging circuits
·Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5612PA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT1061
- Package name
：DFN2020-3
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- transistor polarity
：PNP
- P_tot [max] (mW)
：2100
- V_CEO [max] (V)
：-12
- I_C [max] (A)
：-6
- I_CM [max] (A)
：-7
- h_FE [min]
：220
- h_FE [typ]
：335
- f_T [min] (MHz)
：40
- f_T [typ] (MHz)
：60
- R_CEsat [typ] (mΩ)
：33
- R_CEsat [max] (mΩ)
：50
- V_CEsat [max] (mV)
：-300
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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NA/ |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-1118D |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1061 |
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原装正品 |
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