PBSS5360Z中文资料60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS5360Z |
| 参数属性 | PBSS5360Z 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 3A SOT223 |
| 功能描述 | 60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PBSS5360Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5360Z规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4360Z.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5360Z
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SC-73
- Size (mm)
：6.5 x 3.5 x 1.65
- Polarity
：PNP
- Ptot (mW)
：650
- VCEO [max] (V)
：-60
- IC [max] (mA)
：-3000
- hFE [min]
：150
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：65
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
9000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT223 |
7350 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
1339+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
SOT223 |
8000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT-223 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
SOT223 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
Nexperia(安世) |
25+ |
- |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
