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PBSS5350T-Q中文资料50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS5350T-Q规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4350T-Q
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
• Power management applications
• Low and medium power DC/DC converters
• Supply line switching
• Battery chargers
• Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5350T-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：1200
- VCEO [max] (V)
：-50
- IC [max] (A)
：-2
- ICM [max] (A)
：-5
- hFE [min]
：200
- fT [min] (MHz)
：100
- VCEsat [max] (mV)
：-390
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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恩XP |
2016+ |
SOT-89 |
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恩XP |
24+ |
SOT-89 |
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SOT-89 |
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恩XP |
24+ |
SOT-323 |
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恩XP |
23+ |
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SOT-323 |
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SOT89 |
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SOT-89 |
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