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PBSS5350SS中文资料PBSS5350SS - 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册Nexperia规格书
PBSS5350SS规格书详情
描述 Description
50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor - PNP/PNP double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
特性 Features
·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
·High collector current capability IC and ICM
·High collector current gain (hFE) at high IC
·High efficiency due to less heat generation
·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
·AEC-Q101 qualified
应用 Application
·Dual low power switches (e.g. motors, fans)
·Automotive
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5350SS
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT96-1
- Package name
：SO8
- Size (mm)
：4.9 x 3.9 x 1.75
- Product status
：Production
- Polarity
：PNP
- number of transistors
：2
- P_tot [max] (mW)
：1200
- V_CEO [max] (V)
：-50
- I_C [max] (A)
：-2.7
- V_CEsat [max] (PNP) (mV)
：-370
- R_CEsat@I_C [max]; I_C/I_B =10 [typ] (mΩ)
：140.00000000000001
- h_FE [min]
：200
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