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PBSS5612PA	文件：277.33 Kbytes Page：16 Pages	Marking：A9；Package：HUSON3；12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4612PA. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5612PA_15	文件：163.03 Kbytes Page：15 Pages	12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5612PA,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 6A 3HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PCA-5612	文件：291.32 Kbytes Page：1 Pages	ValueIndustrialPCIGraphicsCardwithLowPowerConsumption	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
PLP-5612	文件：41.55 Kbytes Page：3 Pages	LOWPROFILEDUALBOBBINHIGHISOLATIONPOWERTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PSB-5612	文件：71.46 Kbytes Page：2 Pages	SPLITBOBBINHIGHISOLATIONPOWERTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PSB-5612D	文件：71.46 Kbytes Page：2 Pages	SPLITBOBBINHIGHISOLATIONPOWERTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
S5612	文件：21.52 Kbytes Page：1 Pages	TRANSFORMERFORDIGITALAUDIODATATRANSMISSION	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
S5612	文件：74.96 Kbytes Page：1 Pages	TRANSFORMERFORDIGITALAUDIODATATRANSMISSION	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
S5612A	文件：242.71 Kbytes Page：1 Pages	DIGITALAUDIODATATRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND

详细参数

型号：
PBSS5612PA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PBSS5612PA供应商更新时间2025-5-29 16:20:00

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