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PBSS5580PA数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS5580PA |
| 参数属性 | PBSS5580PA 封装/外壳为3-PowerUDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 4A 3HUSON |
| 功能描述 | 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-PowerUDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 原厂标识 | Nexperia |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | PBSS5580PA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5580PA规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.
NPN complement: PBSS4580PA.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
• Leadless small SMD plastic package with medium power capability
应用 Application
• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5580PA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-3
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Polarity
：PNP
- Ptot (mW)
：500
- VCEO [max] (V)
：-80
- IC [max] (mA)
：-4000
- hFE [min]
：180
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：70
- Automotive qualified
：N
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