PBSS9110D中文资料100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS9110D |
| 参数属性 | PBSS9110D 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 1A 6TSOP |
| 功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PBSS9110D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS9110D规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS8110D.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• High-voltage DC-to-DC conversion
• High-voltage MOSFET gate driving
• High-voltage motor control
• High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
• Automotive applications
技术参数
- 制造商编号
：PBSS9110D
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：700
- VCEO [max] (V)
：-100
- IC [max] (A)
：-1
- ICM [max] (A)
：-3
- hFE [min]
：150
- fT [min] (MHz)
：100
- RCEsat [typ] (mΩ)
：170
- RCEsat [max] (mΩ)
：320
- VCEsat [max] (mV)
：-320
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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Nexperia(安世) |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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SOT23-6 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT23-6L |
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恩XP |
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SOT457 |
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NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT457 |
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原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
恩XP |
17+ |
SOT-457 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT457 |
10990 |
原装正品 |
询价 |
