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PBSS8510PA中文资料100 V, 5.2 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS8510PA |
| 参数属性 | PBSS8510PA 封装/外壳为3-PowerUDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON |
| 功能描述 | 100 V, 5.2 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-PowerUDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PBSS8510PA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS8510PA规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.
PNP complement: PBSS9410PA.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
• Leadless small SMD plastic package with medium power capability
应用 Application
• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS8510PA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-3
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：500
- VCEO [max] (V)
：100
- IC [max] (mA)
：5200
- hFE [min]
：180
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：95
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
24+ |
3HUSON |
354524 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-1061 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SOT1061 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
Nexperia |
21000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-1061 |
42051 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
3HUSON |
16500 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOP |
976000 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
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询价 |
