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PM9110BFA	文件：162.71 Kbytes Page：14 Pages	MONOCHIPTHREEPHASEBIDIRECTIONALKILOWATTHOURMETERINGMODULE DESCRIPTION TheSAMESmonochipthreephasebidirectionalkilowatthourmeteringmodule,thePM9110BF,providesalltherequiredmeteringfunctionsincludingenergymeasurement,a7digitLCDdriver,atariffselectionfacility,anopticalportaswellasapulseoutputforcalibrationpurposes.	SAMES Sames	SAMES
PM9110BFE	文件：162.71 Kbytes Page：14 Pages	MONOCHIPTHREEPHASEBIDIRECTIONALKILOWATTHOURMETERINGMODULE DESCRIPTION TheSAMESmonochipthreephasebidirectionalkilowatthourmeteringmodule,thePM9110BF,providesalltherequiredmeteringfunctionsincludingenergymeasurement,a7digitLCDdriver,atariffselectionfacility,anopticalportaswellasapulseoutputforcalibrationpurposes.	SAMES Sames	SAMES
R9110	文件：177.64 Kbytes Page：4 Pages	PHOTOMULTIPLIERTUBEHighSensitivityandLowerDarkCurrent	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SA9110A	文件：183.01 Kbytes Page：18 Pages	MONOCHIPTHREEPHASEBIDIRECTIONAL DESCRIPTION TheSAMESSA9110AThreePhasebidirectionalenergymeteringintegratedcircuithasanintegratedLiquidCrystalDisplay(LCD)driverfora7digit(7segment)displayaswellas4multipletariffregisters.TheSA9110Aperformstheactivepowercalculation. FEATURES ■Performsbidir	SAMES Sames	SAMES
SFM9110	文件：236.45 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFM9110	文件：241.94 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFM9110TF	文件：241.94 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFR9110	文件：253.17 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFR9110	文件：321.07 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFR9110TF	文件：258.73 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
PBSS9110AS,126
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
320mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 100V 1A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	PBSS9110AS,126	NXP	24+		4000		询价
深圳市易讯博科技有限公司	PBSS9110AS,126	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	PBSS9110AS,126	NXP USA Inc.	2022+	TO-92-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	PBSS9110D	NXP	19+	SOT23-6L	200000		询价

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