20 V, 3 A PNP Low VCEsat (BISS) transistor

DESCRIPTION PNP low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. NPN complement: PBSS4320X. FEATURES • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced prin

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20 V low VCEsat PNP transistor

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丝印：ZH*；Package：SOT-23；PNP low VCEsat (BISS) transistor 20 V, 3 A

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Low VCEsat (BISS) transistors

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PNP low VCEsat (BISS) transistor 20 V, 3 A

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20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PBSS4320T. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat\n• High collector current capability\n• High collector current gain\n• Improved efficiency due to reduced heat generation.\n• AEC-Q101 qualified;

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Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 20V 3A 6TSOP

Nexperia USA Inc.

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 20V 2A TO236AB

Nexperia USA Inc.