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PBSS5140	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用三极管;	BluecolourSICHUAN BLUE COLOUR ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. 蓝彩电子四川蓝彩电子科技有限公司	Bluecolour
PBSS5140D	文件：61.42 Kbytes Page：8 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinanSC-74(SOT457)plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •LCDback-lighting •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5140S	文件：60.67 Kbytes Page：8 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4140S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •1Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgener	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5140S	文件：764.33 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features HighPC,lowVCE(sat),highcurrentswitching Applications Mediumpowerswitchingandmuting,linearregulators,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5140T	文件：68.51 Kbytes Page：9 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •LCDbacklighting •Supply	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5140T	文件：1.01144 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5140T	文件：221.68 Kbytes Page：14 Pages	丝印：2H；Package：SOT23；40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5140U	文件：67.75 Kbytes Page：12 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT323(SC-70)plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •EnhancedperformanceoverSOT231Astandardpackagedtransistor. APPLICATIO	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5140U	文件：482.97 Kbytes Page：10 Pages	丝印：51t；Package：SOT323；40 V low VCEsat PNP transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •EnhancedperformanceoverSOT231Astandardpackagedtransistor. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •LCDbacklighting •Supplylineswi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5140V	文件：47 Kbytes Page：8 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT666plasticpackage.NPNcomplement:PBSS4140V. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mm×1.2mm×0.55mmultrathinpackage •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •Selfalignmentduringsolderingduetostraight	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

技术参数

Ptot(mW)：
300
IC(A)：
1
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
Hfe_Min：
300
Hfe_Max：
800
VCE(sat)(V)：
0.5
Package：
SOT-23

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