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PBSS4540X	文件：103.92 Kbytes Page：13 Pages	40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a medium power SOT89 (SC-62) package. PNP complement: PBSS5540X. FEATURES • High hFE and low VCEsat at high current operation • High collector current capability: IC maximum 4 A • High efficiency leading to less heat generation. APPLICATIONS • Mediu 文件：103.92 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4540X	文件：206.79 Kbytes Page：13 Pages	40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a medium power SOT89 (SC-62) package. PNP complement: PBSS5540X. FEATURES • High hFE and low VCEsat at high current operation • High collector current capability: IC maximum 4 A • High efficiency leading to less heat generation. APPLICATIONS • Mediu 文件：206.79 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4540X	文件：242.7 Kbytes Page：13 Pages	丝印：1B；Package：SOT89；40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1. General description NPN low VCEsat transistor in a medium power SOT89 (SC-62) package. PNP complement: PBSS5540X. 2. Features and benefits • High hFE and low VCEsat at high current operation • High collector current capability: IC maximum 4 A • High efficiency leading to less heat gener 文件：242.7 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4540Z	文件：359.98 Kbytes Page：10 Pages	丝印：PB4540；Package：SOT223；40 V low VCEsat NPN transistor FEATURES •Low collector-emitter saturation voltage •High current capabilities •Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS •Supply line switching circuits •Battery management applications •DC/DC converter applications •Strobe flash units •Heavy duty battery 文件：359.98 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4540Z	文件：153.64 Kbytes Page：9 Pages	40 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5540Z. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capabilities • Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Batte 文件：153.64 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4540Z	文件：44.32 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistor DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5540Z. FEATURES • High current (max. 10 A) • Low voltage (max. 40 V) • Low VCEsat. APPLICATIONS • Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers 文件：44.32 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4540Z,115	文件：153.64 Kbytes Page：9 Pages	40 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5540Z. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capabilities • Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Batte 文件：153.64 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4540Z,115	文件：44.32 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistor DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5540Z. FEATURES • High current (max. 10 A) • Low voltage (max. 40 V) • Low VCEsat. APPLICATIONS • Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers 文件：44.32 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4540X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4540X_15	文件：206.79 Kbytes Page：13 Pages	NPN low VCEsat (BISS) transistor 40 V, 5 A 文件：206.79 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
2500
VCEO [max] (V)：
40
IC [max] (mA)：
4000
hFE [min]：
300
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
70
Automotive qualified：
N

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