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PBSS4540Z

丝印:PB4540;Package:SOT223;40 V low VCEsat NPN transistor

FEATURES •Low collector-emitter saturation voltage •High current capabilities •Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS •Supply line switching circuits •Battery management applications •DC/DC converter applications •Strobe flash units •Heavy duty battery

文件:359.98 Kbytes 页数:10 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

  • 型号:

    PB4540

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN 40V 5A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多PB4540供应商 更新时间2025-8-14 16:37:00