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PBSS4140T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140T	文件：68.63 Kbytes Page：9 Pages	40V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities. •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140T	文件：657.96 Kbytes Page：9 Pages	40V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5140T. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration 3.Applications •Ge	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140T-Q	文件：210.05 Kbytes Page：11 Pages	40V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5140T-Q. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •Qualifiedaccording	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140T-Q	文件：202.19 Kbytes Page：9 Pages	40V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenera	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140U	文件：64.239 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140U. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities. •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. •EnhancedperformanceoverSOT231Ageneralpurposepa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140U	文件：472.02 Kbytes Page：9 Pages	40VlowVCEsatNPNtransistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities. •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. •EnhancedperformanceoverSOT231Ageneralpurposepackagedtransistors. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •LCDbacklighting •Suppl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140V	文件：62.34 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorwithhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5140V. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •Excellentcoplanarit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140V	文件：522.33 Kbytes Page：10 Pages	40VlowVCEsatNPNtransistor FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •ReducedrequiredPCBarea. AP	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PE4140	文件：285.7 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-HighLinearityUltraCMOSBroadbandQuadMOSFETArrayFeatures ProductDescription ThePE4140isanultra-highlinearitypassivebroadbandQuadMOSFETarraywithhighdynamicrangeperformancecapableofoperationbeyond6.0GHz.Thisquadarrayoperateswithdifferentialsignalsatallports(RF,LO,IF),allowingmixerstobebuiltthatuseLOpowersfrom	Peregrine Peregrine Semiconductor Corp.	Peregrine

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详细参数

型号：
PBSS4140DPN
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40V 1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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